Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (1) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Батаев М$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
| 1. | 
Батаев М. Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов [Електронний ресурс] / М. Батаев, Ю. Батаев, Л. Бриллсон // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2011. - Т. 9, Вип. 1. - С. 85-92. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nano_2011_9_1_12 Деградация транзисторов под влиянием протонного облучения с энергией 1,8 МэВ измерялась до плотности протонного излучения <$E 3~cdot~10 sup 15~roman см sup -2>. Структуры с высокой электронной подвижностью на основе AlGaN/AlN/GaN имеют более высокое значение электронной мобильности, чем структуры на основе AlGaN/GaN, и обладают более высокой радиационной стойкостью с отсутствием затухания электрических свойств до значения интегральной плотности потока протонов 10<^>14 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |